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연구원은 국립 연구소 표준 기술 (NIST) 그들은 개발 과정을 빌드 3D 나노 구조 사용하여 자성 재료 기술을 사용하여 ''compatible 반도체 제조, "평가를 열 문 새로운 클래스 센서 MEMS.
과정은 본질적으로 변형 on 다마스 금속화 만드는 3D 구리 상호 연결, 포함하는 에칭 트렌치와 비아 선행된 전기 채우기 위해 구리, 다음 최종 연마 여분의 소재 NIST 노트. 큰 관심사 과정에서 하지만 만드는 있는지 트렌치 가득 완전히 void 무료, 수 해결 추가하여 화학 전착 방지 형성을 따라 측벽 조심스럽게 제어 증착. 그러나 활성 강자성 재료 하지만 프로세스 변수 함께 다마스 금속화 그것은 ''significantly different'' 대 수동 재료 구리.
그들의 작업 NIST 연구원 채워진 하위 ¦Ìm 트렌치와 electrodeposited Ni 사용하여 NiSO 4 NiCl 2 FeSO 4 전해질 포함 2-mercapto-5-benzimidazole 슬포산 (MBIS) 금하고 Ni(Fe) 전착. 충전 트렌치 쇼 초기 기간 유니폼 성장 선행된 v 노치 기하학 패턴 관련된 과도 고갈 MBIS 내에서 recessed 기능. Su-¦Ìm 특징 가득 최소한의 공술서 on 이웃 무료 표면, 그들은. 계속 성장 MBIS 파생 v 노치 기하학 또한 결과 void 무료 충전 큰 특징. 같은 행동 그들은 또한 일어나는 연약한 자석 합금 (e.g., ni 풍부한 니켈). 예비 실험 나타내었습니다 MBIS ''does 두드러지게 perturb 낮은 보자력 Ni Fe 합금 "평가를 중요합니다 기술.
과정에서, 그들은, 구축 3D 자기 활성 구조 ''that 수 쉽게 다른 최첨단 금속화 계획을 ''인해 복잡한 3D MEMS 장치 인덕터 액추에이터를 결합 자석 합금 비 마그네틱 metallizations (e.g., 구리 상호 연결) 기존 생산.
